功率半导体的小而美,东微半导的过去与未来

自2019年6月以来，科创板上市效应激发了创新资本“投早、投小、投科技”的积极性，打通了创投在科技创新行业“募投管退”全环节，促进了科技、资本与实体经济的高水平循环。今年上市的功率半导体企业东微半导（688261.SH）即是科创板中典型的创新资本与公司价值共同成长的经典案例之一。

东微半导于2022年2月登陆科创板，在上市之初已备受市场青睐，发行PE倍数高达429.30倍，是上市后市场表现突出的百元股之一。

从东微半导的股东结构来看，上市前公司已汇聚包括原点创投、中新创投、聚源聚芯、哈勃投资、中小企业发展基金在内的多家知名创投机构。

数据来源：公开资料整理

其中，原点创投及中新创投均为元禾控股旗下机构，为国有股东。前者在东微半导的前身东微有限成立次年即已投资公司，投资年限超过10年，为元禾控股一贯坚持的价值投资和长期投资实践。元禾控股专注早期、偏好技术、信守承诺，截至2022年10月的在投项目超250个。所投资和管理的项目中，87%属于种子期和初创期，70%的投资属于领投。东微半导坐落于元禾控股所在的苏州工业园区，该园区由功率半导体产业发展起步早、基础好，2021年，园区集成电路产业营收突破700亿元，同比增长24%。作为园区重点功率半导体企业，东微半导将持续受益于园区政府的政策支持。

此外，持有公司7.46%股权的聚源聚芯重点投资集成电路芯片制造业，兼顾芯片设计、封装测试等产业，以推动国家集成电路产业重点突破和整体提升。

而持有公司3.73%股权的中小企业发展基金，是国家中小企业发展基金首支实体基金，由深圳国资背景的深创投所控制的国中创投负责管理，在2022年三季度该基金出现在10家上市公司的前十大股东中，且多个报告期内未有变动。

此外，华为亦通过控股的哈勃投资持有公司4.93%股权，充分彰显对公司技术实力的认可与发展前景的看好。

东微半导——登上过《Science》的芯片公司

东微半导当前已发展成为高性能功率半导体的头部厂商之一，也是市场中最受机构关注的功率半导体“新星”。在成长过程中，作为一家初创公司，东微半导能够在多轮融资中引入多家知名创投，与公司联合创始人的技术实力密不可分。

据悉，公司联合创始人王鹏飞博士和龚轶均曾就职于顶级国际芯片巨头，拥有丰富的功率半导体产业经验。其中，王鹏飞博士先后获授权发明专利70余项，其中美国专利授权30余项，是国家高层次人才特殊支持计划领军人才入选者。王博士还是互补隧穿场效应晶体管（CTFET）的发明人，曾在英飞凌存储器研发中心发明多项DRAM核心器件。在2013年，王鹏飞博士还研制出全球首个半浮栅晶体管（SFGT，Semi-FloatingGate Transistor），文章发表在顶级学术期刊《Science》上，这是我国微电子领域研究首次登上Science杂志。在A股，在《Science》发表过论文的芯片公司也几乎仅此一家。

创始人的技术背景与实力，决定了东微半导在成立之初便具备国际化的视野与技术创新能力，尽管体量还相对较小，却具备领先的核心技术，多项技术追平甚至超越了国外一流技术。在工业级及汽车级的功率器件领域实现了国产化替代。

东微半导当前主要产品包括GreenMOS系列高压超级结MOSFET、SFGMOS系列及FSMOS系列中低压屏蔽栅MOSFET,并通过持续技术创新，进一步开发了超级硅MOSFET、TGBT、Super-Si等产品。作为一家低调的公司，应该还有较多的创新技术还处在秘而不宣的阶段。

数据来源：东微半导2022年半年度报告

从应用领域看，东微半导是国内最早进入工业和汽车相关应用领域的功率器件厂商之一，产品也以工业级、车规级应用为主。由于工业级应用对功率半导体产品的性能和稳定性要求普遍高于消费级应用，因此东微半导产品附加值也更高。

借助产品及技术优势，东微半导的品牌知名度和市场认可度不断提高，其产品已进入华为、比亚迪、英飞源、维谛技术、EnphaseEnergy和麦格米特等多个高知名度客户。超级硅 MOSFET器件进入中车株洲等客户，并已批量供应微逆变领域的头部客户Enphase Energy。获得比亚迪全资子公司弗迪动力有限公司颁发的“2021年度优秀供应商”荣誉称号。该等客户供应链体系准入门槛高，获得认证后粘性更强，有利于推动公司不断进行技术升级，为公司的技术领先提供动力。

在供应商方面，东微半导与上游晶圆制造企业华虹半导体、粤芯半导体及DB Hitek等厂商保持稳定的业务和技术合作关系，当前上述主要供应商正积极扩产。2022年上半年，公司还获得了华虹半导体“12英寸平台累计出货100万片卓越贡献客户”荣誉称号。

伴随着客户群体的扩展与优质供应商的深入合作，公司的销售规模亦高速增长。数据显示，2019年至2021年，东微半导营收从1.96亿增长至7.82亿，归母净利润从0.09亿增长至1.47亿，3年间分别增长298.98%、1533.33%。2022年1-9月，公司营收与净利润已超过2021年总和，分别为7.90亿、2.00亿，同比增速分别达到41.29%、115.62%。据Wind数据，A股上市公司IGBT指数(8841291.WI)2022年三季度净利润同比增速均值为55.84%，东微半导115.62%的净利增速在板块中排名第二。

根据公开消息：东微半导最新还荣获“2023中国半导体投资联盟年会暨中国IC风云榜颁奖典礼”之人均创收（TTM）TOP100第一、人均创利（TTM）TOP100第一。荣获“2022年度国家情怀·中国科创板评选”之“最具投资价值企业”。

MOSFET稳定增长，TGBT持续放量，第三代半导体前瞻布局，未来持续高成长可期

东微半导的快速发展与盈利能力的增强，使得公司估值与基本面得到进一步匹配，截至最新PEttm为60.20倍，已具备较合理的配置价值。而当前东微半导新产品放量与技术布局使得公司发展兼具确定性和成长性。

在新产品方面，公司基于自主专利技术开发出650V、1200V及1350V等电压平台的多种TGBT系列IGBT器件已经实现量产，批量进入光伏逆变、储能、直流充电桩、电机驱动等应用领域的多个头部客户；公司的创新型 Tri-gate IGBT 器件产品在2021年上半年开始送样认证并少量出货，半年度实现销售收入 1710.46万元，同比增长高达70倍以上，顺利对基于传统trench-gate FS-IGBT技术的芯片进行替代，表现出高速增长的态势。

在技术布局方面，东微半导竞争优势突出，2022年上半年，公司在积极布局的基于第三代功率半导体SiC材料的功率器件领域中提出新技术路线，有望把握第三代半导体的发展趋势，为公司带来新的收入增长点。

中金公司报告指出，东微半导在硅基超级结MOSFET领域已出货第四代产品，与英飞凌C7产品线形成对标，并服务工业电源、车载充电机、直流充电桩、光伏微逆等高端应用，超级结MOSFET收入体量大幅领先国内同业者。

在市场空间更广阔的IGBT领域，公司自主研发的三栅IGBT（TGBT）第一代产品已经实现大规模量产出货，多款第二代产品已经进入批量生产阶段，收入有望进入快速成长期，在工业控制、光伏及储能逆变器应用领域对国外品牌进行替代。此外，公司碳化硅相关专利产品已在客户认证阶段，有望延续其在硅基功率半导体领域优秀底层设计能力，把握第三代化合物半导体在电力电子应用领域的发展浪潮，打开新的收入增长点。

结语：

国际上传统能源向新能源的转变是一个不可逆的过程，因而功率半导体也会在很长的时间内保持飞速发展。虽然在诸多国际巨头前，东微半导目前只是一家营收一个多亿美金的小不点，但是，东微半导掌握了多个核心技术并具备了国际竞争力。随着技术优势不断转化为市场竞争力，公司在不久的将来可以走向更为广阔的舞台，占领更多高端市场，从而量变形成质变，成长为国产芯片行业的一颗明星。